%0 Thesis
%4 sid.inpe.br/mtc-m21b/2018/02.21.16.04
%2 sid.inpe.br/mtc-m21b/2018/02.21.16.04.06
%T Influência dos estados de impureza e de condução sobre as propriedades eletrônicas de semicondutores dopados
%J x
%D 1987
%8 1986-02-03
%9 Dissertação (Mestrado em Eletrônica e Telecomunicações)
%P 286
%A Perondi, Leonel Fernando,
%E Lima, Ivan Costa da Cunha (presidente), ,
%E Kishore, Ram (orientador), ,
%E Tropper, Amós ,
%E Senna, José Roberto Sbragia ,
%E Fabbri, Maurício,
%I Instituto Nacional de Pesquisas Espaciais (INPE)
%C São José dos Campos
%K semicondutores, propriedades eletrônicas, materiais desordenados.
%X Investigam-se diversos modelos para a explicação das propriedades eletrônicas de semicondutores dopados. O trabalho pode, a grosso modo, ser subdividido em três partes principais. Na primeira apresentam-se um amplo material introdutório que abrange uma discussão qualitativa sobre as propriedades eletrônicas de semicondutores dopados, uma descrição do modelo de Mott-Rubbard-Anderson, o formalismo de médias configurações de Matsubara-Toyosawa e a descrição de estados associados a impurezas isoladas. Nesta primeira parte discutem-se ainda diversas questões ligadas à aplicação da aproximação de massa efetiva a sistemas com muitas impurezas, aspectos qualitativos e formais sobre a interação elétron-elétron, bem como resultados obtidos a partir de modelos preliminares. Na segunda parte propõem-se e analisam-se diversos modelos que levam em consideração e hibridização entre estados de impurezas e de condução. Finalmente, na terceira parte apresenta-se e analisa-se um modelo que se utiliza exclusivamente das /Unções de Bloch do material hospedeiro para a descrição dos auto-estados do sistema. O calor especifico e a susceptibilidade de "spin" previstos pelos diversos modelos são comparados com os respectivos resultados experimentais. ABSTRACT: Many models appropriated to the description of the electronic properties of doped semiconductors are investigated. In a rough way, the work can be subdivided into three main parts. In the first one we present an extensive introductory material that comprehends a qualitative discussion about the electronical properties of doped semicondutors, a description of the Mott-Bubbard-Anderson model, the formalism of configUrational averages of Matsubara-Toyosawa and the descríption of the states associated with isolated impurities. In this same part, we stili discuss many questions associated with the application of the effective mass appoximation to systems with many impurities, some qualitative and formal aspects about the electron-electron interaction, as well as some results obtained through preliminary models. In the second part we propose and analyse different models that take into account the hibridization between impurity and conduction states. Finally, in the third part we present and analyse a model basedentirely upon the bloch functions of the host for the description of thé eigenstatesof the system. The specific heat and spin susCeptibility predicted by ali these modele are compared with the corres ponding experimental results.
%@language pt
%3 INPE-4108.pdf